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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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2N7002E-T1 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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2N7002E-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：240mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 250mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：21pF @ 5V
功率_最大：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

2N7002E-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：240mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 250mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：21pF @ 5V
功率_最大：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236
包裝：帶卷 (TR)

2N7002E-T1供應(yīng)商

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