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2N7002E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：240mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 250mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：21pF @ 5V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002E,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：Digi-Reel®

2N7002E,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002E,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002E,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

2N7002E-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：240mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 250mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

37103-3163-000 FL 100
矩形 - 自由懸掛，面板安裝 3M 軸向 CONN PLUG 2MM IDC 3POS 24-26AWG
2-331350-6
同軸，RF TE Connectivity 軸向 CONN PLUG BNC 50 OHM CRIMP GOLD
2N7002DW-TP
FET - 陣列 Micro Commercial Co 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
3-1879473-2
底座安裝電阻器 TE Connectivity 矩形外殼 RES 390 OHM 500W 5% WW WIRE
327137
配件 TE Connectivity 矩形外殼 CONN FERRULE CRIMP ZINC VIOLET
433300-04-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 矩形外殼 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .4375
2-1879638-6
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 442K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
325341-01-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TERM BARRIER 1CIRC SGL ROW .325
37103-B101-00E MB
矩形 - 自由懸掛，面板安裝 3M CONN PLUG 2MM IDC 3POS 24-26AWG
3-1879473-9
底座安裝電阻器 TE Connectivity 矩形外殼 RES 1.5K OHM 500W 5% WW WIRE
327137
配件 TE Connectivity 矩形外殼 CONN FERRULE CRIMP ZINC VIOLET
433300-10-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 矩形外殼 TERM BARRIER 10CIRC 1 ROW .4375
325342-04-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 矩形外殼 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .325
2-1879638-8
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 487K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
37104-3122-000 FL 100
矩形 - 自由懸掛，面板安裝 3M 軸向 CONN PLUG 2MM IDC 4POS 24-26AWG

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