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» 型號(hào)"B41605A5688M002"的供應(yīng)信息
B41605A5688M002 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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B41605A5688M002詳細(xì)規(guī)格
類別:電容器
描述:CAP ALUM 6800UF 25V 20% SNAP
系列:B41605
制造商:EPCOS Inc
電容:6800µF
額定電壓:25V
容差:±20%
壽命0a0溫度:125°C 時(shí)為 5000 小時(shí)
工作溫度:-55°C ~ 125°C
特點(diǎn):自動(dòng)
紋波電流:13.5A
ESR(等效串聯(lián)電阻):14 毫歐
阻抗:15 毫歐
安裝類型:通孔
封裝/外殼:徑向,罐 - 卡入式 - 3 引線
尺寸/尺寸:0.984" 直徑(25.00mm)
高度_座高(最大):1.575"(40.00mm)
引線間隔:0.394"(10.00mm)
表面貼裝占地面積:-
包裝:托盤(pán)
B41605A5688M002供應(yīng)商
B41605A5688M002
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
B41605A5688M002
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
B41605A5688M002
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
B41605A5688M002
北京上用科技有限公司
13910052844(微
查看更多B41605A5688M002的供應(yīng)商
BR24C02-RDW6TP
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8TSSOP
BLC120J901B4A
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 - 4 引線 CAP FILM 12UF 900VDC RADIAL
BK/9789-1/2
配件 Cooper Bussmann 徑向 - 4 引線 REPLACEMENT KNOB FOR HPM
B41605A5189M2
電容器 EPCOS Inc SNAP IN 18000UF 25V
71978-150LF
矩形- 接頭,公引腳 FCI EURO QKE HDR RA DPWL RLG
BK0603LL100-T
鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0201(0603 公制) FERRITE BEAD 10 OHM 0201
BR24C04-MN6TP
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8SOIC
74010
螺釘和螺母驅(qū)動(dòng)器 - 刀片和位 Wiha 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) BIT PWR SLOT 1/4" HEX 4.0MM 50MM
BSZ0909NS
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 19A TSDSON-8
BK/9838
配件 Cooper Bussmann 徑向,罐 - 卡入式 - 3 引線 REPLACEMNT CONTCT FOR 18-22 WIRE
71979-220LF
矩形- 接頭,公引腳 FCI 徑向,罐 - 卡入式 - 3 引線 QKE HDR SS WRL RA DP-2P3
BK0603LL330-T
鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0201(0603 公制) FERRITE BEAD 33 OHM 0201
7401ADAPTM8
過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Fairchild Semiconductor 0201(0603 公制) ADAPTER 8SOIC POWERICE/POWERIC
BR24C04-RDS6TP
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC EEPROM 4KBIT 100KHZ 8TSSOP
BSZ100N03LS G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
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