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BC636詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC636,116詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：145MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC636_J35Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC636BU詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC636TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

BC636TAR詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

BY229-600-E3/45
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-220-2 DIODE 8A 600V 145NS TO-220AC
BAT54A
二極管，整流器 - 陣列 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT-23
BC635ZL1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92
C1206C680J5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 68PF 50V 5% NP0 1206
74AHC541BQ,115
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 NXP Semiconductors 20-VFQFN 裸露焊盤 IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20DHVQFN
74457018
固定式 Wurth Electronics Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 1.8UH 13A SMD
74408943150
固定式 Wurth Electronics Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 15UH 1.4A SMD
B8J3K0E
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR POWER 3.0K OHM 8W 5%
BAT54A,235
二極管，整流器 - 陣列 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHTK DUAL 30V 200MA SOT23
C1206C681F1GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 680PF 100V 1% NP0 1206
74AHC541D,112
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC
74408943680
固定式 Wurth Electronics Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 68UH .60A SMD
74457056
固定式 Wurth Electronics Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 5.6UH 7.8A SMD
B8J5R0
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR POWER 5.0 OHM 8W 5%
BY229B-600-E3/81
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE 8A 600V 145NS TO-263AB

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BC636 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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BC636供應(yīng)商

BY229-600-E3/45

BAT54A

BC635ZL1G

C1206C680J5GACTU

74AHC541BQ,115

74457018

74408943150

B8J3K0E

BAT54A,235

C1206C681F1GACTU

74AHC541D,112

74408943680

74457056

B8J5R0

BY229B-600-E3/81