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BS108,126詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：300mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 100mA，2.8V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

BS108/01,126詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：300mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 歐姆 @ 100mA，2.8V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

BS108G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：250mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 100mA，2.8V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：管件

BS108ZL1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：250mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 100mA，2.8V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BS108ZL1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：250mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 100mA，2.8V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

B43508A5107M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 450V
C3216X7T2W104K/SOFT
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 450V 10% X7T 1206
B57211P250M351
涌入電流限制器 (ICL) EPCOS Inc 1206（3216 公制） CURRENT LIMITER INRSH 25 OHM 20%
BS108,126
FET - 單 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
BF22160-24B
燈 - 冷陰極熒光 (CCFL) 和 UV JKL Components Corp. TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 LAMP CCFL 800V 2.2MM X 160MM
C0805C225K8RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805
BMI-S-102
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805（2012 公制） BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE
BI-UM-1-2
配件 MPD (Memory Protection Devices) 0805（2012 公制） INSULATOR FOR LARGE C&D BATTERY
C3216X7T2W104M/SOFT
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 450V 20% X7T 1206
B57213P309M301
涌入電流限制器 (ICL) EPCOS Inc TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 CURRENT LIMITER INRSH 3 OHM 20%
C0805C225K8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805
BF245A
RF FET Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 IC AMP RF N-CH 30V TO-92
BI-UM-1-2
配件 MPD (Memory Protection Devices) TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 INSULATOR FOR LARGE C&D BATTERY
BMI-S-105
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 BOARD SHIELD 1.0X1.5" 1PIECE
B43508A5127M67
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 120UF 450V

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BS108 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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B43508A5107M2

C3216X7T2W104K/SOFT

B57211P250M351

BS108,126

BF22160-24B

C0805C225K8RACAUTO

BMI-S-102

BI-UM-1-2

C3216X7T2W104M/SOFT

B57213P309M301

C0805C225K8RACTU

BF245A

BI-UM-1-2

BMI-S-105

B43508A5127M67

BS108 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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BS108供應(yīng)商

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