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BS250FTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：45V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：330mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

BS250FTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：45V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：330mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BS250FTA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：45V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：330mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BS250FTC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：45V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 歐姆 @ 200mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：330mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BS250KL-TR1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：270mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 15V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-18RM; 包裝：Digi-Reel®

BS250KL-TR1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：270mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 15V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-18RM; 包裝：帶卷 (TR)

C0805C225M4RALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 0805
C3216X8R1H224K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 50V 10% X8R 1206
B57234S220M51
熱敏電阻 - NTC EPCOS Inc NTC THERMISTOR S 234/22 /M 51
BS-2450
電池座，夾，觸點(diǎn) MPD (Memory Protection Devices) HOLDER COIN CELL W/CLIP&RELEASE
BF3/RC
配件 JKL Components Corp. END CAP FOR 3MM FLUORESCENT LAMP
C0805C225M8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 10V 20% X7R 0805
B43508A5397M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 450V
BMI-S-209-C
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD COVER
C3216X8R1H334K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.33UF 50V 10% X8R 1206
BF3/RC
配件 JKL Components Corp. TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 END CAP FOR 3MM FLUORESCENT LAMP
C0805C225M8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 10V 20% X7R 0805
B43508A5477M60
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 450V
C3216X8R1H334K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.33UF 50V 10% X8R 1206
BMK10000
配件 Red Lion Controls 1206（3216 公制） CUB 1 BASE MOUNT KIT
BS2540-7R
DC DC Converters Power-One 模塊 EURO-CASSETTE 100W 2X 15V

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