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BSC016N04LS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：12000pF @ 20V; 功率_最大：139W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：帶卷 (TR)

BSC016N04LS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：12000pF @ 20V; 功率_最大：139W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC016N04LS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：12000pF @ 20V; 功率_最大：139W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：Digi-Reel®

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通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 301K OHM 1/2W .5% AXIAL
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電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can CAP ALUM 4.7UF 400V 20% RADIAL
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連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 29POS FLANGE W/PINS
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D-Sub ITT Cannon DSUB 17W2 F
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橋式整流器 Comchip Technology BR-W BRIDGE DIODE 50A 50V BR-W
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FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
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通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 22K OHM 1/2W 1% AXIAL

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