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BSC028N06NS 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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BSC028N06NS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSF N CH 60V 23A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 50A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 50µ A
閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V
功率_最大：2.5W
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*
包裝：*

BSC028N06NS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSF N CH 60V 23A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 50A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 50µ A
閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8
包裝：散裝

BSC028N06NS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSF N CH 60V 23A TDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 50A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 50µ A
閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 30V
功率_最大：2.5W
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*
包裝：*

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