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BSH111,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

BSH111,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BSH111,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：Digi-Reel®

BSH111,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BSH111,235詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

8-1879338-8
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0603（1608 公制） RES 215K OHM 1/16W 1% 0603
7PA100
配件 Ohmite 0603（1608 公制） MOUNTING HDWR THRU BOLT 100WATT
BSH111,215
FET - 單 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
79237807
配件 Crouzet USA TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 PANEL ADAPTOR FRAME
C1206C829K2GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 8.2PF 200V 10% NP0 1206
C901U390JYSDCAWL40
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 39PF 250V 5% RADIAL
C8051F005DK-T
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Silicon Laboratories Inc DEV KIT FOR C8051F005/F006/F007
810KMCB
按鈕 APEM Components, LLC SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
7PA100
配件 Ohmite MOUNTING HDWR THRU BOLT 100WATT
79238250
配件 Crouzet USA TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONTROL POTENTIOMETER 470K PANEL
C901U390JZSDAA7317
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 39PF 300V 5% RADIAL
C1206C829K5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 8.2PF 50V 10% NP0 1206
C8051F005DK-U
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Silicon Laboratories Inc DEV KIT FOR F005/006/007
810KMZG
按鈕 APEM Components, LLC SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V
7PA160
配件 Ohmite MOUNTING HDWR THRU BOLT 175WATT

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