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BSO203SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 15V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO203SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2265pF @ 15V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO203SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO203SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO203SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3750pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

788310-1
Card Edge, Edgeboard Connectors TE Connectivity 軸向 CONN EDGE 110DL PS ZIF .100 GOLD
C1206C100CBGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 10PF 630V NP0 1206
BSO203P H
FET - 陣列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
805-00006
配件 Parallax Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CABLE USB A TO MINI B
C1206C155K3RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 1.5UF 25V 10% X7R 1206
7B-11.0592MAAJ-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 11.0592 MHZ 18PF SMD
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陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1500PF 100V 10% X7S 0402
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可插入式 - 配件 TE Connectivity 0402（1005 公制） CONN GUIDE ASSY MEDIA CONVERTER
C420C222J1G5TA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 2200PF 100V 5% AXIAL
C1206C155K4RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 1.5UF 16V 10% X7R 1206
805-00006
配件 Parallax Inc 1206（3216 公制） CABLE USB A TO MINI B
7B-12.000MAAJ-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 12.000 MHZ 18PF SMD
C1005X7S2A152K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1500PF 100V 10% X7S 0402
788422-2
配件 TE Connectivity 0402（1005 公制） CONN TERMINATOR IDC 68POS PLASTC
C420C333K1R5TA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.033UF 100V 10% AXIAL

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