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BSO220N03MD G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO220N03MD G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO220N03MD G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO220N03MS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO220N03MS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO220N03MS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

ECA49DTMH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS R/A .125 SLD
D38999/20FJ61PB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/PINS
DMP2305U-7
FET - 單 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23
BSO207P H
FET - 陣列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
BPA05K
DIP C&K Components SWITCH DIP SIDE-ACTUATED 5POS
BRL1608T2R2M
固定式 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） INDUCTR 2.2UH 500MA 20% 0603 SMD
D38999/20MJ19AC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 19POS WALL MT PINS
CMF55328K00BERE
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 328K OHM 1/2W .1% AXIAL
D38999/20FJ61PBLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 61POS WALL MT PINS
BPA07SK
DIP C&K Components SWITCH DIP SIDE-ACT SMD 7POS
DMP3010LPS-13
FET - 單 Diodes Inc 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI
BRL1608T3R3M
固定式 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） INDUCTR 3.3UH 390MA 20% 0603 SMD
CMF5532K000DHEA
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 32K OHM 1/2W .5% AXIAL
D38999/20MJ19BA
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 19POS WALL MT SCKT
D38999/20FJ61PC
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 61POS WALL MNT W/PINS

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