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BSO301SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO301SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO301SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO301SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO301SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO301SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

788450-1
D形，Centronics TE Connectivity 4-SMD CONN RCPT 200POS .050 R/A
C1206C100J1GALTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 10PF 100V 5% NP0 1206
BSO300N03S
FET - 單 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5.7A DSO-8
805-00012
配件 Parallax Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CABLE LCD EXT 14" W/451-00303
C1206C156Z9VACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 15UF 6.3V Y5V 1206
C1005X7S2A332M
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 3300PF 100V 20% X7S 0402
7B-12.288MAAE-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD CRYSTAL 12.288 MHZ 12PF SMD
788495-1
配件 TE Connectivity 4-SMD TERMINATOR SCSI-3 68POS PLASTIC
C430C104K1R5CA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.1UF 100V 10% AXIAL
805-00012
配件 Parallax Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CABLE LCD EXT 14" W/451-00303
C1206C159C5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 1.5PF 50V NP0 1206
C1005X7S2A472K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 4700PF 100V 10% X7S 0402
7B-12.288MEEQ-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 12.288 MHZ 10PF SMD
788495-1
配件 TE Connectivity 4-SMD，無引線（DFN，LCC） TERMINATOR SCSI-3 68POS PLASTIC
C430C104M1U5TA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.1UF 100V 20% AXIAL

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