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BSO303SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

BSO303SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO303SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO303SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO303SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2330pF @ 25V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO303SP H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2330pF @ 25V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

C917U680JZSDAA7317
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
BMI-S-107
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.747X1.747" 1PIECE
C1808C392KFRACTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 3900PF 1.5KV X7R 1808
BRFL2518T1R5M
固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 1.5UH 1.0A 20% SMD
CA02COM24-10SB01
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS BOX MNT W/SKTS
C1AXS-1636G-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CSC16S/AE16G/X
C-14441
支架 - 元件 Bud Industries COVER SMALL RACK MOUNT SOLID
C917U680JZSDAAWL20
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
BMI-S-107
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.747X1.747" 1PIECE
BRFL2518T4R7M
固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 4.7UH .65A 20% SMD
CA02COME10SL-3P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/PINS
C1AXS-5036M-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CSC50S/AE50M/X
C146 10E024 940 1
高負(fù)載 - 組件 Amphenol-Tuchel Electronics CONN 24POS PANEL POWER KIT
C917U680JZSDAAWL40
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
BMI-S-201-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD .476X.538" FRAME

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