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BSP149 E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP149 E6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP149 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP149 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP149 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP149 L6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

AMM31DRSH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .156 EXTEND
BSP149 E6906
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
461019 YL005
單芯導(dǎo)線 Alpha Wire TO-261-4，TO-261AA 461019 YELLOW 100 FT
B43890A5226M
電容器 EPCOS Inc 22UF 450V 16X20 SINGLE END
B72650M350K93
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CU3225K35G2K1
AFD58-16-26SW-6233
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 26POS SKT
AT206C
配件 NKK Switches SW CAP .945" BEZEL RED
AML51-G10RB
配件 Honeywell Sensing and Control BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
AMM31DTAN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
B43890A9156M
電容器 EPCOS Inc 15UF 400V 12.5X20 SINGLE END
B72651M251K72
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CU3225K250G2H3
AT206D
配件 NKK Switches SW CAP .945" BEZEL AMBER
AFD58-16-26SY-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 26POS SKT
AML51-G10RB
配件 Honeywell Sensing and Control BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
46105C
固定式 Murata Power Solutions Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 1000UH .27A SMD SHIELD