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BSP61,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BSP61,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP61,115詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.25W; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BSP613P詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP613P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP613P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

6062
香蕉式和端頭 - 插座，插頭 Keystone Electronics 1210（3225 公制） JACK TEST HORIZ LOW PRO BLK GOLD
B82422H1102K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%
BSP373 L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
B41044A5336M
電容器 EPCOS Inc 33UF 25V 5X11 SINGLE END
C1206C473J3RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.047UF 25V 5% X7R 1206
61500084035
其它 3M 1206（3216 公制） TS HIGH STRENGTH DISC 3" A MED
6135.0032.0210
電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊 Schurter Inc 1206（3216 公制） 6.CBTBF100C0-C6135
60620-5
矩形 - 觸點 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN PIN 14-20AWG GOLD CRIMP
C1210C186K9PACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1210
C1206C473J5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.047UF 50V 5% X7R 1206
B41044A5338M
電容器 EPCOS Inc 3300UF 25V 16X31.5 SINGLE END
61500084043
其它 3M SURFACE LS BELT 1/2X18" A MED
606-2415-110F
面板指示器，指示燈 Dialight LED PNL IND 6MM R,G 2V RECESS
6135.0139.0410
電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊 Schurter Inc 6.CBTBF150C0-C6135
C1210C220J5GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 22PF 50V 5% NP0 1210

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