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BSS119 E6433詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS119 E7796詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS119 E7978詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS119 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS119 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS119 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：170mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 170mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：78pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

C1005X5R1E334K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.33UF 25V 10% X5R 0402
BU-29-2
配件 Mueller Electric Co 0402（1005 公制） INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
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電容器 EPCOS Inc 22UF 160V SINGLE END
741C083511JP
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 510 OHM 4 RES 0804
B72500T0070M060
TVS - 二極管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
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晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN 80V 1000MA SOT89
C0805C560J1GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 56PF 100V 5% NP0 0805
BU-29-2
配件 Mueller Electric Co 0805（2012 公制） INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
741C083514J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 510K OHM 4 RES 0804
B72500T5170K60
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0603K17CCG
C0805C560J2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 56PF 200V 5% NP0 0805
BU-29-2
配件 Mueller Electric Co 0805（2012 公制） INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
B43888C2106M
電容器 EPCOS Inc 10UF 250V SINGLE END
741C083560J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 56 OHM 4 RES 0804
B72500T70K60
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0603K7G

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