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BSS306N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS306N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS306N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS306N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：275pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS308PE H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS308PE H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

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BSS308PE H6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23

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