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BSS316N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：94pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS316N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：94pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS316N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：94pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS316N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：94pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BTB08-800BW3G
三端雙向可控硅開(kāi)關(guān) ON Semiconductor TO-220-3 TRIAC 8A 50MA 800V TO-220AB
BP24V15RT2U
配件 Tripp Lite TO-220-3 BATT PACK 24V OMNI SERIES UPS
BSS316N H6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
BH014D0153JDB
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.015UF 63VDC RADIAL
C2012C0G1H472J/0.60
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4700PF 50V 5% NP0 0805
C1005C0G1H130J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 13PF 50V 5% NP0 0402
BTB12-600CWRG
三端雙向可控硅開(kāi)關(guān) STMicroelectronics TO-220-3 TRIAC 12A 600V TO-220AB
C3216X5R1E336M
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 33UF 25V 20% X5R 1206
C0805C681M1RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 100V 20% X7R 0805
C2012C0G1H472J/0.85
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4700PF 50V 5% NP0 0805
C1005C0G1H150G
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 15PF 50V 2% NP0 0402
BTB16-600BWRG
三端雙向可控硅開(kāi)關(guān) STMicroelectronics TO-220-3 TRIAC 600V 16A TO-220AB
BP24V15RT2U
配件 Tripp Lite TO-220-3 BATT PACK 24V OMNI SERIES UPS
C3216X5R1E475K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
C0805C681M2RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 200V 20% X7R 0805

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