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BSZ0902NS詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：2.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ0902NS詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：2.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BSZ0902NS詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 15V; 功率_最大：2.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ0902NSI詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ0902NSI詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BSZ0902NSI詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

DBMAM44SF0
D-Sub，D 形 - 外殼 ITT Cannon DSUB 44F CRIMP 50
DC56-11EWA
顯示器模塊 - LED 字符與數(shù)字 Kingbright Corp 18-DIP（0.600"，15.24mm） DISPLAY 627NM HRED 2DIG 0.56" TH
DZ2700GNZ
配件 Littelfuse Inc SOD-128 GAUGE RING ACS DII 6A 500V GREEN
BSZ067N06LS3 G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
D38999/20WF11HD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 11POS FLANGE W/PINS
D38999/20JG16JN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS WALL MNT W/SCKT
D38999/24FJ61SC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 61POS SKT
DC-600
卡導(dǎo)軌 Bivar Inc 18-DIP（0.600"，15.24mm） CARD GUIDE DEEP 6X0.08" BLK
DBMAM44SNMF0A101
D-Sub，D 形 - 外殼 ITT Cannon DSUB 44 F CRIMP NM LC CAD
D38999/20WF11HE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 11POS FLANGE W/PINS
D38999/20JG16PB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 16POS FLANGE W/PINS
DC60A20
固態(tài) Crydom Co. Hockey Puck RELAY SSR DC OUT 20A 90-140VAC
DBMAME-25P
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB PLUG 25POS CRIMP
D38999/24FJ61SE
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 61POS JAM NUT W/SKTS
BSZ105N04NS G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

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