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BUK7608-40B,118詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2689pF @ 25V; 功率_最大：157W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

BUK7608-40B,118詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2689pF @ 25V; 功率_最大：157W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

BUK7608-40B,118詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2689pF @ 25V; 功率_最大：157W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

BUK7608-55,118詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 25A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V; 功率_最大：187W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

BUK7608-55A,118詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：*; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：; FET特點(diǎn)：; 漏極至源極電壓333Vdss444：; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：; 功率_最大：; 安裝類(lèi)型：; 封裝/外殼：; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：; 包裝：

BUK7608-55A,118詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：*; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：; FET特點(diǎn)：; 漏極至源極電壓333Vdss444：; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：; 功率_最大：; 安裝類(lèi)型：; 封裝/外殼：; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：; 包裝：

BZV55-C33,135
單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 33V 500MW SOD80C
BUK7107-40ATC,118
FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-5，D²Pak（4 引線+接片），TO-263BB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
743C083512JP
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 2008（5020 公制），凹陷 RES ARRAY 5.1K OHM 4 RES 2008
BUK7608-40B,118
FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
B82724J2102N21
共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式，4 PC 引腳 DOUBLE CHOKE 39MH 1A VERT
BY255P-E3/73
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD，軸向 DIODE 3A 1300V DO-201AD
BA7808FP-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 8V 1A TO-252-3
BQ29419PWRG4
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8-TSSOP
BZV55-C39,115
單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 39V 500MW SOD80C
B82724J2402N20
共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式，4 PC 引腳 DOUBLE CHOKE 4.7MH 4A VERT
743C083560JTR
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 2008（5020 公制），凹陷 RES ARRAY 56 OHM 4 RES 2008
BA7809CP-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-220-3 全封裝截切引線 IC REG LDO 9V 1A TO-220CP-3
BY299P-E3/54
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD，軸向 DIODE 2A 800V 500NS DO-201AD
BQ29440DRBR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盤(pán) IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON
BZV55-C3V9,115
單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80C