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BZX884-B10,315詳細(xì)規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE ZENER 10V 250MW SOD882; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標(biāo)稱）333Vz444：10V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 7V; 容差：±2%; 功率_最大：250mW; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOD-882; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOD-882; 包裝：帶卷 (TR)

BZX884-B10,315詳細(xì)規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE ZENER 250MW 10V SOD882; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標(biāo)稱）333Vz444：10V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 7V; 容差：±2%; 功率_最大：250mW; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOD-882; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOD-882; 包裝：剪切帶 (CT)

BZX884-B10,315詳細(xì)規(guī)格: 類別：單二極管/齊納; 描述：DIODE ZENER 250MW 10V SOD882; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 電壓_齊納（標(biāo)稱）333Vz444：10V; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 電流_在Vr時反向漏電：200nA @ 7V; 容差：±2%; 功率_最大：250mW; 阻抗（最大）333Zzt444：10 歐姆; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOD-882; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOD-882; 包裝：Digi-Reel®

C317C829D5G5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 8.2PF 50V RADIAL
C0402C0G1C2R2B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 2.2PF 16V NP0 01005
C1005X5R1E474K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.47UF 25V 10% X5R 0402
BZX85C51
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE ZENER 51V 1W DO-41
CAV24C08WE-GT3
存儲器 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） EEPROM I2C SER 8KB I2C 8SOIC
CB5090-000
熱縮管 TE Connectivity 4-SMD，無引線（DFN，LCC） HEAT SHRINK TUBING
C410C681J5G5TA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 680PF 50V 5% AXIAL
91911-31431LF
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 FCI CONN HEADER 31POS 1MM VERT SMD
C317C829D5G5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 8.2PF 50V RADIAL
C1005X5R1E474K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.47UF 25V 10% X5R 0402
CB5092-000
熱縮管 TE Connectivity 4-SMD，無引線（DFN，LCC） HEAT SHRINK TUBING
CAVCB164245QDGGRQ1
邏輯 - 變換器 Texas Instruments 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC TXRX BUS 16BIT DUAL 48TSSOP
91911-31469LF
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 FCI CONN HEADER 69POS 1MM VERT SMD
C410C683M5U5TA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.068UF 50V 20% AXIAL
C0402C0G1C2R4B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 2.4PF 16V NP0 01005