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CSD18503Q5A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2640pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON（5x6）; 包裝：帶卷 (TR)

CSD18503Q5A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2640pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON（5x6）; 包裝：Digi-Reel®

CSD18503Q5A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2640pF @ 20V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SON（5x6）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7469
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
IHSM7832RG270L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 27UH 3.4A SMD
IRL540S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF9Z20
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
EXB-E10C271J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 270 OHM 8 RES 1608
CRCW2512220RJNEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 220 OHM 1.5W 5% 2512 SMD
IRL540SPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IHSM7832RG470L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD
IRF7469PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
CRCW2512226RFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD
EXB-E10C272J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 2.7K OHM 8 RES 1608
IRF9Z30
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
CSD18504Q5A
FET - 單 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 8SON
IRF7473TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
IRF9Z34NSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

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CSD18503Q5A 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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IRF7469

IHSM7832RG270L

IRL540S

IRF9Z20

EXB-E10C271J

CRCW2512220RJNEGHP

IRL540SPBF

IHSM7832RG470L

IRF7469PBF

CRCW2512226RFKEG

EXB-E10C272J

IRF9Z30

CSD18504Q5A

IRF7473TRPBF

IRF9Z34NSTRR