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DDTA144VCA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA144VCA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA144VCA-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA144VCA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA144VCA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

DDTA144VCA-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：30mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

GRM0335C1H3R5CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 3.5PF 50V NP0 0201
DJT16E25-29AB
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 29POS PIN
KPT06F22-55SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 55POS W/SKT CABLE
DDTA144VCA-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DEMOBOARD TLE 6389-3 GV50
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Infineon Technologies BOARD DEMO FOR TLE 6389-3 GV50
KSM-1193-12-SMAJ
同軸，RF KSM Electronics Inc. 幣形，寬型和有角端子 ASSY CABLE H.FL/SMA JACK 12"
GRM0335C1H470JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 47PF 50V 5% NP0 0201
DJT14F17-35HB-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 55POS PIN
DJT16E25-29BA
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 29POS SKT
DEMOBOARD TLE7201R
過時/停產(chǎn)零件編號 Infineon Technologies BOARD DEMO FOR TLE7201R
KSM-DEV081601-12-WHITE
固態(tài)照明 KSM Electronics Inc. 幣形，寬型和有角端子 CBL ASSEM DF59 22AWG DBL 12 WHT
GRM0335C1H4R3BD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.3PF 50V NP0 0201
DJT14F17-35JA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKT
DDTA144WE-7
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc SOT-523 TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523
KPT06F24-61PY
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 61POS CABLE PIN