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DMG6968U-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：151pF @ 10V; 功率_最大：810mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

DMG6968U-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：151pF @ 10V; 功率_最大：810mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DMG6968U-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：151pF @ 10V; 功率_最大：810mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

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陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 7.1PF 25V S2H 0201
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陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 2.2PF 50V S2H 0402