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DMN3024LSD-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：608pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

DMN3024LSD-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：608pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

DMN3024LSD-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：608pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
DL68G16-10PY-6106
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 10POS STRGHT W/PINS
CAY16-22R0F4LF
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Bourns Inc. 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 22 OHM 4 RES 1206
ERJ-14NF1023U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES 102K OHM 1/2W 1% 1210 SMD
CA3106R24-2SB
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 7POS INLINE W/SKTS
FDB8443
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
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圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 10POS SKT
DMN3030LFG-7
FET - 單 Diodes Inc * MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8