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DTC124XM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 22/47K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：帶卷 (TR)

DTC124XM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 22/47K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC124XMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTC124XMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC124XMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DS1023S-200+T&R
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 256TAP 16-SOIC
LGN2V471MELC30
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 350V 20% SNAP
IMC0805ER1R0J01
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 5% 0805
DTC124XMT2L
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3
IDT72V205L15TFI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 16KX9 15NS 64QFP
LLL185R71C223MA11L
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制）寬（長(zhǎng)側(cè)）0306（0816 公制） CAP CER 0.022UF 16V 20% X7R 0306
DSA7004R0L
晶體管(BJT) - 單路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-243AA TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINIP3-F
LGN2W101MELY35
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 450V 20% SNAP
DS1040Z-100+
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 100NS 8-SOIC
IDT72V2103L6BC
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LBGA IC FIFO SUPERSYNCII 6NS 100-BGA
LLL185R71C473MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制）寬（長(zhǎng)側(cè)）0306（0816 公制） CAP CER 0.047UF 16V 20% X7R 0306
DSA70C150HB
二極管，整流器 - 陣列 IXYS TO-247-3 DIODE SCHOTTKY 150V 2X35A TO-247
LGN2W101MELZ30
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 450V 20% SNAP
DS1040Z-500+
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 500NS 8-SOIC
DTC124XUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS NPN 50V 100MA SOT-323

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DTC124XM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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LGN2V471MELC30

IMC0805ER1R0J01

DTC124XMT2L

IDT72V205L15TFI

LLL185R71C223MA11L

DSA7004R0L

LGN2W101MELY35

DS1040Z-100+

IDT72V2103L6BC

LLL185R71C473MA01L

DSA70C150HB

LGN2W101MELZ30

DS1040Z-500+

DTC124XUAT106