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EM6K1T2R詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 10mA，4V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：13pF @ 5V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6; 包裝：Digi-Reel®

EM6K1T2R詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 10mA，4V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：13pF @ 5V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

EM6K1T2R詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 歐姆 @ 10mA，4V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：13pF @ 5V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6; 包裝：帶卷 (TR)

ERJ-1GEJ185C
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CA3101F16S-1S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS INLINE W/SKTS
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D-Sub ITT Cannon DSUB 15 F CRIMP FLOA
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ERJ-1GEJ200C
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0201（0603 公制） RES 20 OHM 1/20W 5% 0201 SMD

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