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EMG2DXV5T1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-553; 供應商設備封裝：SOT-553; 包裝：帶卷 (TR)

EMG2DXV5T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-553; 供應商設備封裝：SOT-553; 包裝：帶卷 (TR)

EMG2DXV5T5詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-553; 供應商設備封裝：SOT-553; 包裝：帶卷 (TR)

EMG2DXV5T5G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-553; 供應商設備封裝：SOT-553; 包裝：帶卷 (TR)

EMG2T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：EMT5; 供應商設備封裝：EMT5; 包裝：帶卷 (TR)

EMG2T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：EMT5; 供應商設備封裝：EMT5; 包裝：Digi-Reel®

EEC18DRTN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
CURM105-G
單二極管/整流器 Comchip Technology SOD-123T DIODE ULT FAST 1A 600V MINI SMA
ELXS181VSN152MA30S
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 180V 20% SNAP
EMG2DXV5T5G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-553 TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553
EEE-HA0J102UP
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 1000UF 6.3V 20% SMD
EEE-HB1C470AP
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 47UF 16V 20% SMD
CTVED-A5B3-212.5TS
振蕩器 Cardinal Components Inc. 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCVCXO 212.50MHZ 3.3V LVPECL
CW010330R0JE123
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 330 OHM 13W 5% WW AXIAL
EEC18DRXH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
EEE-HA0J221WP
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 220UF 6.3V 20% SMD
EEE-HB1E100AR
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 10UF 25V 20% SMD
ELXS181VSN152MQ50S
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 180V 20% SNAP
CTX0.33-3A-R
陣列，信號變壓器 Cooper Bussmann 6-SMD，無引線（DFN，LCC） INDUCTOR/TRANSFORMER 0.33UH SMD
CW01033K00JB12
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 33K OHM 13W 5% WW AXIAL
CUS-13TB
Slide Switches Copal Electronics Inc SC-76，SOD-323 SWITCH SLIDE SP3T LOW PROF SMD

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