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EMY1T2R詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN 50V EMT5; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN，PNP（耦合發(fā)射器）; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz，140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：EMT5; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT5; 包裝：Digi-Reel®

EMY1T2R詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN 50V EMT5; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN，PNP（耦合發(fā)射器）; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz，140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：EMT5; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT5; 包裝：剪切帶 (CT)

EMY1T2R詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN 50V EMT5; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN，PNP（耦合發(fā)射器）; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz，140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：EMT5; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT5; 包裝：帶卷 (TR)

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晶體管(BJT) - 陣列 Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL PNP/NPN 50V EMT5
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光學(xué) - LED，燈 - 透鏡 Ledil 4-SMD，無引線（DFN，LCC） LENS ASSY 1P 21.6MM RND 14.65MM