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FBMJ2125HM210NT詳細規格: 類別：鐵氧體磁珠和芯片; 描述：FERRITE BEAD 21 OHM 0805; 系列：FBM; 制造商：Taiyo Yuden; 頻率對應阻抗：21 歐姆 @ 100MHz; 額定電流：6A; DC電阻333DCR444：最大 4 毫歐; 濾波器類型：差模 - 單線; 封裝/外殼：0805（2012 公制）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：Digi-Reel®; 高度（最大）：0.041"（1.05mm）; 尺寸/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

FBMJ2125HM210NT詳細規格: 類別：鐵氧體磁珠和芯片; 描述：FERRITE BEAD 21 OHM 0805; 系列：FBM; 制造商：Taiyo Yuden; 頻率對應阻抗：21 歐姆 @ 100MHz; 額定電流：6A; DC電阻333DCR444：最大 4 毫歐; 濾波器類型：差模 - 單線; 封裝/外殼：0805（2012 公制）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：帶卷 (TR); 高度（最大）：0.041"（1.05mm）; 尺寸/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

FBMJ2125HM210NT詳細規格: 類別：鐵氧體磁珠和芯片; 描述：FERRITE BEAD 21 OHM 0805; 系列：FBM; 制造商：Taiyo Yuden; 頻率對應阻抗：21 歐姆 @ 100MHz; 額定電流：6A; DC電阻333DCR444：最大 4 毫歐; 濾波器類型：差模 - 單線; 封裝/外殼：0805（2012 公制）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：剪切帶 (CT); 高度（最大）：0.041"（1.05mm）; 尺寸/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

FBMJ2125HM210NT供應商

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IRFI630G
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
CSMB58
同軸，RF Laird Technologies IAS 0603（1608 公制） CONN SMB MALE
FBMH4525HM162NT
鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 1810（4525 公制） FERRITE BEAD 1600 OHM 1810
IDH06S60C
單二極管/整流器 Infineon Technologies TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2
EXB-N8V224JX
網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 220K OHM 4 RES 0804
IRFI734GPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
CSMBF174
同軸，RF Laird Technologies IAS 0603（1608 公制） CONN SMB MALE
IRFI740GLCPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
CRCW251227R4FKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 27.4 OHM 1W 1% 2512 SMD
CSMC174
同軸，RF Laird Technologies IAS 0603（1608 公制） CONN SMC MALE
EXB-N8V242JX
網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 2.4K OHM 4 RES 0804
IRFI744GPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
CSMCF174
同軸，RF Laird Technologies IAS 0603（1608 公制） CONN SMC FEMALE
CRCW2512280KFKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 280K OHM 1W 1% 2512 SMD
IRFI840G
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP