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FDD4685詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 20V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252; 包裝：Digi-Reel®

FDD4685詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 20V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252; 包裝：剪切帶 (CT)

FDD4685詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 20V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252; 包裝：帶卷 (TR)

FDD4685_F085詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 20V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252; 包裝：帶卷 (TR)

FDD4685TF_SB82135詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 20V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

GCC08DCSH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD
GRM1886R1H430JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 43PF 50V 5% R2H 0603
FDD45AN06LA0_F085
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
GBB40DHBN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 80POS R/A .050 SLD
FDMS039N08B
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
FGG.0B.303.CLAD35Z
連接器，互連器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 PLUG CDG 3CTS C-COL
GCC08DRAI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .100 SLD
GBM24DREI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET
GBB40DHFD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN CARDEDGE 80POS .050" SMD
FDMS2506SDC
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PQFN，Power56 MOSFET N-CH 25V 39A POWER56
FGG.0B.303.CLAD42
連接器，互連器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 PLUG CDG 3CTS C-COL
GCC08DREH-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .100 EYELET
GBM24DRKI-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 EXTEND
GBB40DHHN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 80POS .050 DIP SLD
FDD5612
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

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FDMS039N08B

FGG.0B.303.CLAD35Z

GCC08DRAI

GBM24DREI

GBB40DHFD

FDMS2506SDC

FGG.0B.303.CLAD42

GCC08DREH-S93

GBM24DRKI-S13

GBB40DHHN

FDD5612