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HAT2160H-EL-E 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

HAT2160H-EL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7750pF @ 10V; 功率_最大：30W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-100，SOT-669; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK; 包裝：帶卷 (TR)

H4BXT-10110-W1-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047W/X 10"
HAS030YH-ANG
DC DC Converters Power-One 9-DIP 模塊 CONV DC-DC 24V IN 12V OUT 30W NL
GJM0335C1E2R1WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 2.1PF 25V NP0 0201
H4BXT-10110-W8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048W/X 10"
HAS030YH-ANG
DC DC Converters Power-One 9-DIP 模塊 CONV DC-DC 24V IN 12V OUT 30W NL
GJM0335C1E2R2CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 2.2PF 25V NP0 0201
HAT2141H-EL-E
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100，SOT-669 MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
H4BXT-10110-Y8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048Y/X 10"
GJM0335C1E2R4CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 2.4PF 25V NP0 0201
GJM0335C1E2R5BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 2.5PF 25V NP0 0201
H4BXT-10112-R1-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047R/X 12"
HAT2171H
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100，SOT-669 MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK
GJM0335C1E2R8CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 2.8PF 25V NP0 0201
HAT2173H
FET - 單 Renesas Electronics America SC-100，SOT-669 MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
H4BXT-10112-V1-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047V/X 12"

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