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HAT2164H 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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HAT2164H詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 30A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：7600pF @ 10V
功率_最大：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK
包裝：帶卷 (TR)

HAT2164H-EL-E詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 30A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：7600pF @ 10V
功率_最大：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK
包裝：帶卷 (TR)

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