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HUF75639S3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 56A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262AA; 包裝：管件

HUF75639S3S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 56A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：管件

HUF75639S3ST詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 56A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB; 包裝：剪切帶 (CT)

HUF75639S3ST詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 56A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB; 包裝：Digi-Reel®

HUF75639S3ST詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：56A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 56A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB; 包裝：帶卷 (TR)

HMC60DREI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET
HR25A-9J-12SC
圓形 - 外殼 Hirose Electric Co Ltd CONN JACK 12POS FEMALE CRIMP
HUF75639S3ST
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
HP-4-P
配件 Molex Connector Corporation STEEL HOLE PLUG,NICKEL PLTD 3/4"
I3DBF88
配件 RF Solutions BOARD DAUGHTER ICEPIC3
HSMS-2814-TR1G
RF 二極管 Avago Technologies US Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23
LD053C220JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 22PF 25V 5% X7R 0805
HMC60DRTN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
HR25A-9J-16P
連接器，互連器件 Hirose Electric Co Ltd CONN JACK 16POS MALE SOLDER
I3-TRACER1
配件 RF Solutions BOARD ADD ON TRACE
LD053C272KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 25V 10% X7R 0805
HSMS-2814-TR1G
RF 二極管 Avago Technologies US Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23
HMC60DRTN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS .100 EXTEND
HR25A-9P-12PC
圓形 - 外殼 Hirose Electric Co Ltd CONN PLUG 12POS MALE CRIMP
HUF75829D3
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

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