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HUFA75645S3S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：238nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3790pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：管件

HUFA75645S3S供應(yīng)商

HUFA75329S3S
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
CPA2512E68R0FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 68.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
HUFA75344P3_F085
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
GRM1556T1H8R7DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.7PF 50V T2H 0402
GRM2196S2A910JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 91PF 100V 5% S2H 0805
CPA2512Q10R0FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 10.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
HUFA75639G3
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
CPA2512Q10R0FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 10.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
GRM2196S2A9R3DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 9.3PF 100V S2H 0805
CPA2512Q3R30FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 3.3 OHM 16W 1% 2512 SMD
HUFA75652G3
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
CPA2512Q3R90FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 3.9 OHM 16W 1% 2512 SMD
CN12919_LENINA-M
光學(xué) - LED - 反射器 Ledil 1210（3225 公制） REFLECTOR NICHIA MED 74MM
GRM1556T1HR50CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 0.5PF 50V T2H 0402
HUFA76409D3ST
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK