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IMH8AT108詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

IMH8AT108詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT6; 包裝：帶卷 (TR)

IMH8AT108詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMT6; 包裝：Digi-Reel®

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PMIC - 顯示器驅(qū)動器 Texas Instruments 20-LCC（J 形引線） IC DRIVER DOT BAR DISPLAY 20PLCC
JJC0E157MELC
雙電層，超級電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP SUPER 150F 2.5V SNAP
IXTK80N25
FET - 單 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
HSMP-3866-TR1G
RF 二極管 Avago Technologies US Inc. SC-74A，SOT-753 DIODE PIN ATTEN QUAD PI SOT25
ECH-U1C562JX5
薄膜 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） CAP FILM 5600PF 16VDC 0805