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IPB011N04L G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：180A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 毫歐 @ 100A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：346nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：29000pF @ 20V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-7; 包裝：剪切帶 (CT)

IPB011N04L G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：180A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 毫歐 @ 100A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：346nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：29000pF @ 20V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-7; 包裝：帶卷 (TR)

IPB011N04L G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：180A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 毫歐 @ 100A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：346nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：29000pF @ 20V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-7; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
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光纖 Richco Plastic Co OPT FIBER SPLICE PROTECTOR 2.4"
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振蕩器 RFM 8-SMD IC OPT TIME CLK 663.552MHZ 8-SMC
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