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IPB100N04S3-03詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：145nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 25V; 功率_最大：214W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：PG-TO263-3; 包裝：Digi-Reel®

IPB100N04S3-03詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：145nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 25V; 功率_最大：214W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

IPB100N04S3-03詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：145nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 25V; 功率_最大：214W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

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IPB100N04S3-03 輝華拓展 0755-82575207
IPB100N04S3-03 瀚佳科技（深圳）有限公司 0755-23915992
IPB100N04S3-03 艾睿（深圳）半導體有限公司 15813737183
IPB100N04S3-03 深圳和潤天下電子科技有限公司 0755-83798683
IPB100N04S3-03 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
IPB100N04S3-03 深圳和潤天下電子科技有限公司 0755-83798683
IPB100N04S3-03 深圳市晶美隆科技有限公司 0755-82865294
IPB100N04S3-03 深圳宇邦高科技有限公司 15899765957 1
IPB100N04S3-03 深圳誠思涵科技有限公司 0755-83015506
IPB100N04S3-03 3PN0403 深圳市華勝英科技有限公司 13711580601
IPB100N04S3-03 3PN0403 江蘇芯鉆時代電子科技有限公司 18913062888
IPB100N04S3-03 3PN0403 深圳市匯萊威科技有限公司 0755-82785677
IPB100N04S3-03 深圳市源豐誠電子科技有限公司 0755-23919407
IPB100N04S3-03 深圳市鑫遠鵬科技有限公司 15112667855
IPB100N04S3-03M 艾睿（深圳）半導體有限公司 15813737183
IPB100N04S3-03 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003

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