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IPG20N06S2L-65 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IPG20N06S2L-65詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 15A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 14µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V
功率_最大：43W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
包裝：帶卷 (TR)

IPG20N06S2L-65供應(yīng)商

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