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IPW65R110CFD 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IPW65R110CFD詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：650V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 12.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 1.3mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：118nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3240pF @ 100V; 功率_最大：277.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO247-3; 包裝：管件

GJM0335C1E4R6BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201
IRFU430APBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
FDS6675
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H48-6C-640-320-1.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X1MM
IPW60R190C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
IRFU5305PBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
GJM0335C1E4R8BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
ISC1812ES181J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 180UH 5% 1812
IRFU5505
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
H48-6C-640-320-2.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH
IRFU6215
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
ISC1812ES1R2J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812
GJM0335C1E5R0CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5PF 25V NP0 0201
H48-6G-100-100-2.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM
IPW65R190C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247