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IRF1010NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1010NLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1010NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1010NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1010NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1010NSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

DTS26F17-6SB-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
E32-T12L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
IRF1010NLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
IRFR13N20DCTRLP
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
DTS24F17-35PD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IRF7325PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
IPI11N03LA
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
IMC1812RV102K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1000UH 10% 1812
E32-T12L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
IRF7325TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC
IPI12CNE8N G
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
HCM1103-150-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 15UH SMD
DTS24F17-35PN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IMC1812RV1R0K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
E32-T12L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M