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IRF2804S-7P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 160A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK（7-Lead）; 包裝：管件

IRF2804S-7PPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 160A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK（7-Lead）; 包裝：管件

IRF2804SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6450pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF2804STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 75A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6450pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 160A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK（7-Lead）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫歐 @ 160A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK（7-Lead）; 包裝：帶卷 (TR)

FAD1-12038CSHW32
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 12VDC SLEEVE WIRE
F750J108KRC
鉭 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 2824
CRCW2512187RFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 187 OHM 1W 1% 2512 SMD
IMC1812RQ101J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
IRF2804STRL7PP
FET - 單 International Rectifier TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
FAD1-12038CSJW32
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 12VDC SLEEVE WIRE
EYM08DRMT-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
F750J227MCC
鉭 Nichicon 2812（7132 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2812
FAD1-12038CSLW32
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 12VDC SLEEVE WIRE
F750J337KDC
鉭 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2917
IMC1812RQ101K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
FAD1-12038DBAW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 24VDC BALL WIRE
EYM08DRSD-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
F750J477KDC
鉭 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 470UF 6.3V 10% 2917
FAD1-12038DHAW32
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 24VDC HYDRO WIRE

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