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IRF3205L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3205LPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3205PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3205SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3205STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF3205STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：146nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3247pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HCM12DRTN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
IRF2807ZSTRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
IRF740STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
E32-T14LR
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HI FLEX SIDEVIEW 3MM HEAD
IMP1-1J0-1K0-1R0-1W0-1W0-4EE0-4NN0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F19-11SB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
HCM12DRYH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
IPP048N04N G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
IRF3805STRL-7PP
FET - 單 International Rectifier TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
E32-T15XB 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div T-BEAM FIBER R4 RUGGED 2M CBL
DTS26F19-11SC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
IMP1-1O0-1O0-1O0-1O0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IPP06N03LA
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
HCM12DSAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
IRF3805STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

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IPP06N03LA

HCM12DSAH

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