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IRF3709詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3709L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3709LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3709PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3709S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3709SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF7452QTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
GT-4R
配件 CW Industries TOGGLE SWITCH SAFETY COVER RED
IRF3708STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
H2BXG-10108-B4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015B/X 8"
FG1393
RF 天線 Laird Technologies IAS 徑向，Can - 螺絲端子 ANT WIRELESS VHF 139MHZ 100W
H8MMS-2618M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26M/HDM26S
H2BXG-10108-G6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049G/X 8"
H2BBG-10102-N8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048N/H1501TR 2"
IRF7452TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
H2BXG-10108-L8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048L/X 8"
FG1526
RF 天線 Laird Technologies IAS 徑向，Can - 螺絲端子 ANT WIRELESS VHF 152-156MHZ 100W
H8MMS-5006M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50S/AE50M/HDM50S
H2BXG-10108-S8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048S/X 8"
H2BBG-10102-R6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049R/H1501TR 2"
GT-4R
配件 CW Industries TOGGLE SWITCH SAFETY COVER RED

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