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IRF620詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 6A TO-220; 系列：PowerMESH™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：70W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF620詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF6201PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A SO-8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫歐 @ 27A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF6201TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫歐 @ 27A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6201TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫歐 @ 27A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF6201TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫歐 @ 27A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

DS18S20Z+T&R
溫度 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC THERM MICROLAN HI-PREC 8SOIC
IN24-90-7
RF 天線 Laird Technologies IAS SC-74，SOT-457 ANT SECTOR 2400-2485MHZ 7DBI
IRF6201TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
DTS24F21-41AD
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 41POS PIN
DTS20W21-39SN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS FLANGE W/SKT
GTC020R-24-12P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
GSM06DRMN-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP，GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS .156 SQ WW
DTS26W13-35AC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 22POS PIN
DS1920-F5+
存儲器，PC 卡 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IBUTTON TEMPERATURE F5
IN3004KBM
鍵盤 Tripp Lite SC-74，SOT-457 KEYBOARD MOUSE WIRELESS W/BASE
GTC020R-24-12S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SCKT
DTS20W21-41AC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 41POS PIN
DTS26W13-35BB
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 22POS SKT
GSM06DRMT-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP，GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND
IN800/2700-5
RF 天線 Laird Technologies IAS SC-74，SOT-457 ANT OMNIDIR DUAL BAND 5DBI N FEM

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