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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF6617TRPBF 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF6617TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫歐 @ 15A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
功率_最大：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST
包裝：Digi-Reel®

IRF6617TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫歐 @ 15A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
功率_最大：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST
包裝：剪切帶 (CT)

IRF6617TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫歐 @ 15A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
功率_最大：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST
包裝：帶卷 (TR)

IRF6617TRPBF供應(yīng)商

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