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IRF6621TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6621TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6621TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1460pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6618TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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雙電層，超級(jí)電容器 Taiyo Yuden 幣形，寬型端子 - 反側(cè) CAP SUPER 0.03F 3.3V COIN SMD
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