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IRF7202TR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF7202TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 20V
功率_最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：剪切帶 (CT)

IRF7202TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 20V
功率_最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：Digi-Reel®

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