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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF7465TR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF7465TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：Digi-Reel®

IRF7465TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：剪切帶 (CT)

IRF7465TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 1.14A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

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