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IRF7493PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7493TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7493TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7493TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7493TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF6643TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
KPSE01F20-16PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 16POS CBL MNT PIN
KPT06B8-3S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 3POS CABLE SKT
IRF7493TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
K393K10X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
IMC1210BN5R6J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 5.6UH 5% 1210
IVS3-3P0-3P0-2Q0-1E0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF6644TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
KMPC8379EVRALG
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 689-BBGA 裸露焊盤 IC MPU POWERQUICC II 689-PBGA
KPT06D14-19P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS W/PIN CABLE
K393K10X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
IMC1210BN680J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 68UH 5% 1210
IVS3-3Q2-2E-2L-2L-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF6648TR1
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
KMPC850DEVR80BU
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 80MHZ 256-PBGA

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